초록

제안한 고성능 Lateral SBR은 우수한 순방향 전압 강하 특성(VF=0.38 V@IF=35 mA)과 낮은 역방향 누설전류 특성, 그리고 고온 동작 안정성(3.25 uA@T_j=150℃)을 확보가 가능하며 기존 BCD Platform에서 제공하는 PN junction 다이오드와 쇼트키다이오드의 단점을 극복 가능하였다. 나아가 BCD Platform에서 제공하는 Lateral 형태의 소자와 함께 집적화가 가능하여 고성능 IC설계에 대한 자유도를 높일 수 있다.

Abstract

This paper suggests a high performance lateral super barrier rectifier (Lateral SBR) device which has the advantages of both Schottky diode and pn junction, that is, low forward voltage and low leakage current, respectively. Advantage of the proposed lateral SBR is that it can be easily implemented and integrated in current BCD platform. As a result of simulation using TCAD, BVdss = 48 V, VF = 0.38 V @ IF = 35 mA, T_j = 150℃ were obtained with very low leakage current characteristic of 3.25 uA

• Keywords: BCD, Power rectifier, SBR, High performance rectifier