얇은 금속 박막을 실리콘 기판위에 증착하여, 고감도 쇼트키 소자를 제작하였다. 일함수가 다른 두 개의 Ni과 Ag금속을 두께 10 nm로 증착하였다. 쇼트키 소자의 정류특성은 금속과 실리콘 사이의 장벽전위의 형성에 기인한다. Ag-쇼트키 소자는 입사광 900 nm일 때, 매우 높은 17,881 값의 광반응을 보였다. 효과적인 쇼트키 소자의 형성은 광감지기, 태양전지를 포함한 범용적인 광전소자에 사용될 수 있다.
A high-responsive Schottky device has been achieved by forming a thin metal deposition on aSi substrate. Two-different metals of Ni and Ag were used as a Schottky metal contact with a thicknessabout 10 nm. The barrier height formation between metal and Si determines the rectifying currentprofiles. Ag-embedding Schottky device gave an extremely high response of 17,881 at a wavelength of900 nm. An efficient design of Schottky device may applied for photoelectric devices, includingphotodetectors and solar cells.
