우리는 RT에서 350℃까지 다양한 증착온도에서 RF 마그네트론 스퍼터링으로 증착된 SZTO의 박막의 구조 및 전기적 특성을 조사하였다. 모든 SZTO의 박막은 비정질 구조이고 증착온도에 따라 SZTO 박막트랜지스터의 이동도가 변화되었다. SZTO 박막트랜지스터는 상온에서 8.715 cm2/Vs의 이동도를 나타었다. 또한 우리는 게이트 및 드레인 전압을 인가함으로써 전기적 스트레스 테스트를 수행하였다. SZTO 박막 트랜지스터는 상온 증착에서 비교적 좋은 안정성을 나타내었고 350℃에서는 상온 증착에 비해 좋지 못한 안정성을 나타내었다. 결과적으로 높은 증착온도는 비정질 구조를 느슨하게 만들어 박막 내의 산소공공을 더 많이 생성시켜 전기적 성능과 안정성에 영향을 미친다.
We have investigated the structural and electrical properties of Si-Zn-Sn-O (SZTO) thin filmsdeposited by RF magnetron sputtering at various deposition temperatures from RT to 350℃. All theSZTO thin fims are amorphous structure. The mobility of SZTO thin film has been changed dependingon the deposition temperature. SZTO thin film transistor shows mobility of 8.715 ㎠/Vs at roomtemperature. We performed the electrical stress test by applying gate and drain voltage. SZTO thin filmtransistor shows good stability deposited at room temperature while showing poor stability deposited at350℃. As a result, the electrical performance and stability have been changed depending on depositiontemperature mainly because high deposition temperature loosened the amorphous structure generatingmore oxygen vacancies.
