수열합성법에 의해 ZnO 나노와이어를 성장시키는 경우 공정온도가 낮아서 기판 선택이 자유로우므로 다양한 기능성 전자소자의 제작에 적용 가능한 장점이 있으나, 그 성장 속도가 비교적 느린 단점이 있다. 본 논문에서는 수열합성 공정 중 양극성 및 음극성의 DC 바이어스를 각각 0.5 [V]로 인가하고 전기전도성이 우수한 AZO 박막을 촉매층으로 하여 ZnO 나노와이어를 성장시켰다. 바이어스를 인가하지 않은 경우와 바이어스를 인가한 수열합성법에 의해 2∼8 [h] 동안 성장된 ZnO 나노와이어를 각각 FE-SEM 분석으로 그 성장 특성을 비교하였다. 성장된 ZnO 나노와이어의 물성은 PL 분석을 통해 조사하였다. 양극성의 외부바이어스를 인가할 경우 수열합성법에 의한 ZnO 나노와이어의 성장 특성이 현저히 개선되었으며, 성장된 ZnO 나노와이어는 PL 분석 결과 전형적인 ZnO의 물성을 보였다.
Hydrothermal synthesis technique could be carried out for growth of ZnO nanowires atrelatively low process temperature, and it could be freely utilized with various substrates for fabricationprocess of functional electronic devices. However, it has also a demerit of relatively slow growthcharacteristics of the resulting ZnO nanowires. In this paper, an external DC bias of positive and negative0.5 [V] was applied in the hydrothermal synthesis process for 2∼8 [h] to prepare ZnO nanowires on aseed layer of AZO with high electrical conductivity. Growth characteristics of the synthesized ZnOnanowires were analyzed by FE-SEM. Material property of the grown ZnO nanowires was examined byPL analysis. The ZnO nanowires grown with positive bias revealed distinctively enhanced growthcharacteristics, and they showed a typical material property of ZnO.
